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三星展示 40Gbps GDDR7 显存:3GB(24Gb)容量,12 纳米 DRAM 制程工艺

文 / 小亚 2025-12-05 08:39:04 来源:亚汇网

据介绍,这款显存获得了“总统级表彰”,采用三星12nmDRAM工艺制造,相当于10nm级别。值得注意的是,三星不只在生产40Gbps的3GBGDDR7显存,此前曾有消息称这家公司正在量产28Gbps的3GB模组,很有可能被英伟达用于即将推出的RTX50系显卡Super中期升级款。虽然英伟达没有选用速度最快的显存这件事看起来有点奇怪,但实际上英伟达这样的厂商会尽量选择量产的成熟方案,因此处于样品阶段的新品无法支撑新品上市,必须使用稳定库存的方案才能保障供应。三星的对手SK海力士同样也在酝酿新品,这家公司计划在ISSCC2026(亚汇网注:国际固态电路会议)上展示其高速DRAM产品阵容,当中包括一款24Gb、速率可达28Gbps的GDDR7显存,有消息称这款显存将采用对称双通道设计,可突破大众对GDDR732–37Gbps的常规预期。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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