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消息称三星电子考虑削减 HBM3E 产能,扩产 1b nm 通用 DRAM 以最大化利润

文 / 小亚 2025-12-02 14:39:01 来源:亚汇网

亚汇网注意到,三星电子的HBM3和HBM3E内存均基于1anmDRAM,而HBM4则基于1cnm,1bnm工艺产能完全由通用内存占据。由于AI需求、HBM挤占产能、短期内扩产幅度有限等原因,DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品近来价格经历了一波快速涨势,对于三星电子而言其1bnm产能的盈利能力反而超过了传统看法中受益于HBM高价格的1anm。尽管三星电子最终还是成为了英伟达的HBM3E供应商,但其供货规模相对受限,此外三星电子在HBM3E上的平均售价本身就相较SK海力士低出三成,而2026年起HBM3E还将降价30%。消息人士指出,三星电子如果将1anm的30~40%产能和1znm等更为成熟工艺的产能切换为1bnm,则1bnm的投片量有望额外扩充每月8万片晶圆。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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