▲三星电子V9QLCNAND报道指出，三星目前正为其韩国平泽P1晶圆厂的NAND产能从V6更新至V9进行设备投资，并考虑将中国西安X2晶圆厂从目前的V7/V8升级至V9，旨在应对AI服务器对高容量QLC企业级SSD需求短暂低潮后的复苏。不过，三星电子放缓了下一代400+层NAND闪存工艺V10的量产进度，这与超低温蚀刻技术导入遇阻有关，可能导致V10NAND量产线的投资建设计划延至2026年上半年。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
消息称三星电子积极推动 NAND 工艺向 V9 转换，但 V10 量产节奏放缓
文 / 小亚
2025-06-20 23:02:20
来源:亚汇网
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